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Die technologische Entwicklung von Silizium-Wafer-Schleifmaschinen beschleunigt sich und die innovativen Errungenschaften vieler Unternehmen konzentrieren sich auf die Landung

Die technologische Entwicklung von Silizium-Wafer-Schleifmaschinen beschleunigt sich und die innovativen Errungenschaften vieler Unternehmen konzentrieren sich auf die Landung

20. Mai 2025 - In jüngster Zeit hat die chinesische Halbleiterindustrie eine Reihe von Durchbrüchen beim Schleifen von Siliziumwafern erzielt. Die neue, von Ai Pang Semiconductor Technology (Sichuan) Co., Ltd. entwickelte Einkristall-Silizium-Wafer-Schleifmaschine hat durch die alternierende Arbeitsweise von Doppelschleifrahmen eine Verbesserung der Produktionseffizienz von mehr als 30% erreicht, und die Verwendung von Pufferkomponenten reduziert effektiv das Risiko einer Beschädigung der Silizium-Wafer-Kanten. Gleichzeitig löste die von Chengdu Qingyang Electronics eingeführte doppelseitige Schleifmaschine mit integrierter Staubabsaugung das Problem der Verschmutzung durch Schleifstaub bei herkömmlichen Geräten. Die synchrone doppelseitige Schleiftechnologie kann die Oberflächenrauheit von Siliziumwafern auf Nanometerniveau optimieren.

Anhui Ge Nan Machinery konzentriert sich auf die Bedürfnisse des Umweltschutzes. Die Filtrationsanlage für Schleifabfälle erreicht durch ein mehrstufiges Aufbereitungssystem eine 99,7%-Entfernungsrate von Verunreinigungen durch große Partikel in der Abfallflüssigkeit und bietet der Industrie umweltfreundliche Produktionslösungen. Experten wiesen darauf hin, dass diese Innovationen darauf hindeuten, dass sich die inländischen Anlagen von der Einzelverarbeitung zu einem vollwertigen Technologiesystem "Präzisionsmahlung-Abfallrecycling" entwickeln.

Marktdaten zeigen, dass mit der beschleunigten Expansion von Unternehmen wie Sany Silicon Energy die jährliche Produktionskapazität für Siliziumwafer in China im Jahr 2025 voraussichtlich 80 Milliarden Stück übersteigen wird, und dass die Nachfrage nach hochpräzisen und verlustarmen Schleifgeräten weiter steigen wird. Die Beliebtheit von Halbleitermaterialien der dritten Generation wie Siliziumkarbid hat die Entwicklung der doppelseitigen Schleiftechnologie in Richtung Ultradünnheit und Intelligenz weiter gefördert. Derzeit machen die F&E-Investitionen führender Unternehmen mehr als 15% des Umsatzes aus, und die Lokalisierungsrate von Kernkomponenten ist im Vergleich zu 2020 um 40 Prozentpunkte gestiegen.

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